化学位移是因为电子对质子有屏蔽作用产生的，那为什么？化学位移是因为电子对质子有屏蔽作用产生的化学位移是由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰.但这种屏蔽效
化学位移是因为电子对质子有屏蔽作用产生的，那为什么？
化学位移是因为电子对质子有屏蔽作用产生的化学位移是由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰.但这种屏蔽效应所造成的差异是非常小的，难以精确的测出其绝对值，因此需要一个参照物（reference compound）来做对比，常用四甲基硅烷(CH3)4Si（数字下标）（tetramethylsilane，简写为TMS）作为标准物质，并人为将其吸收峰出现的位置定为零.
什么是化学位移？影响化学位移的因素有哪些？
化学位移是NMR（核磁共振波谱）的术语。 表征在不同化学环境下的不同 H-1， C-13， P-31， N-15等元素在波谱上出现的位置。就外部因素来说澳门博彩， 氘代溶剂对化学位移有一定影响， 如用氘代氯仿和氘代DMSO会导致[繁：緻]同一H或C 的化学位移有变化， 但不是很大。
影响化学位移的主要因素是所测元素周围的化学环境。 例如烯烃上的H澳门新葡京或C的化学位移比饱和(练：hé)烷烃的H或C的化学位移要大的多， 即在低场出现。
更具体和详细的内容请参考有关的波谱专著。
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