中国自己研制光刻机的前景如何？我们要做就做最好的光刻机，并且一条龙贯通服务，不怕别人卡我们的脖子，打破整个垄断环节格局，以我国的速度用不了5年便能实现弯道超车，走在世界的前列。当前我国的各个光刻机等一系列科研团队，已经掌握了各个光刻机性能、步骤以及纳米的各种科技应用和工艺
中国自己研制光刻机的前景如何？
我们要做就做最好的光刻机，并且一条龙贯通服务，不怕别人卡我们的脖子，打破整个垄断环节格局，以我国的速度用不了5年便能实现弯道超车，走在世界的前列。当前我国的各个光刻机等一系列科研团队，已经掌握了各个光刻机性能、步骤以及纳米的各种科技应用和工艺。荷兰、美国、德国、日本的垄断局面在未来几年中将被打破，那时，我们将真正跨入发达国家的行列。中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？
中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。
一、中国光刻技术采用193nm深紫外光源，荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源。
光刻是制程芯片最关(guān)键技术，制幸运飞艇程芯片过程几乎离不开光刻技术。但光刻技术的核心是光源，光源的波长决定了光刻技术的工艺能力。
我[pinyin：wǒ]国光刻技术采用193nm波长的深紫外光源，即将准分子深紫外光源的波长缩小到ArF的193nm。它可实现最高工艺节点是65nm，如[读：rú]采用浸入式技术可将光源缩小至134nm。为提高【pinyin：gāo】分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm。
到了28nm以后、由于单次曝光的图形间距无法进一步提升，所以广泛使用多次曝光和刻蚀[繁体：蝕]的方法来求幸运飞艇得更致密的电子线路图形。
荷兰ASML的EUV光刻kè 技术，采用是（shì）美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术。是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的光（guāng）源。
极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予澳门新葡京了拯救摩尔定律（练：lǜ）的使命。
当今的ASML的EUV光刻技【jì】术，巳能用13.5nm极紫外光{读：guāng}制程7nm甚至5nm以下芯片。而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即是如此。
虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光和刻蚀方法提升制程工艺，但成本běn 巨大、良率较低、难以商业化量产。所以光源的不[读：bù]同导致光刻技术的重大区别。
二、在光刻技[pinyin：jì]术的[pinyin：de]光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区别【pinyin：bié】。
光刻技术的光学系【繁体：係】统极其复杂，要减小误差达到高精度要求，光源的计量和控制非常重要。它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的世界杯分辨率和套刻精度。
光刻技术的分辨biàn 率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密切关(繁：關)係。在光源波长不变情况下，NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。
我国在精密（mì）加{读：jiā}工透镜技术上无法与ASML采用的德国蔡司镜头相比（bǐ），所以光刻技术分辨率难以大幅提高。
套刻精度是光刻技术非常重要的技术指标，是指前后两道工序、不同[tóng]镜头之间彼此图形对准精度。如果对【duì】准偏差、图形就产生误差，产品良率就小。
所以需不断调整透镜曝光补偿参数和光源计量进[繁体：進]行控制，达到满意的光刻效果。我国除缺少精密加工透镜的技术外[wài]，在光源控制、透镜曝光参数调整上也是缺乏相关技术的。
我国在5G时代、大数据和人工智能开云体育都要用到高端芯片，离不（读：bù）开顶尖的光刻技术，这是必须要攀登的“高峰”。相信我国刻苦研发后能掌握先进的光刻技术和设备，制程生产自己所需的各种高端芯片。
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