当前位置:SoccerSports

场效应(繁体:應)管irf530替换

2025-02-14 19:49:54SoccerSports

irf460场效应管参数?IRF460:耐压500V,电流21A.......N沟道MOS管40n60场效应管参数及代换?常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25

irf460场效应管参数?

IRF460:耐压500V,电流21A.......N沟道《拼音:dào》MOS管

40n60场效应管参数及代换?

常用场效应管参数及替代

FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用(读:yòng))

FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254

FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264

FQA55N25 (MOSFET) 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P  

FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A

FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P  

FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E

FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50

FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3P  

FQA10N80 (MOSFET) 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P  

FQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P  

FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P  

FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P  

FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P  

皇冠体育

FFA30U20DN (快恢复(繁:覆)二极管) 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A

FFPF30U60S (快恢复二极(拼音:jí)管) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560

FFA30U60DN (快恢【huī】复二极管) 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A

MBRP3010NTU (肖特基《pinyin:jī》) 100V/30A/TO-220  

MBRA3045NTU (肖特基【pinyin:jī】) 45V/30A/TO-3P  

ISL9R3060G2 (快恢复二èr 极管) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B

RHRG3060 (快恢复【fù】二极管) 600V/30A/35nS/TO247  

FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N

FQP70N10 (MOSFET) 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220  

澳门金沙

IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460

KA3162/FAN8800 (Drive IC) 单IGBT/MOSFETFET驱(繁:驅)动《繁:動》IC    

RHRP860 (快恢复二【练:èr】极管) 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860

RHRP1560 (快恢{huī}复二极管) 600V/15A/TO0220 MUR1560

RHRP8120 (快恢复(繁体:覆)二极管) 1200V/8A/75W/TO220  

RHRP15120 (快恢复(繁体:覆)二极管) 1200V/15A/TO220  

RHRP3012开云体育0 (快恢复二极管) 1200V/30A/125W/TO220单(繁体:單) DSEI20-10A

RHRG30120 (快恢【练:huī】复二极管) 1200V/30A/T03P

SSH45N20B (MOSFET) 200V/45A/TO3P IRFP260

FGL40N150D (IGBT) 1500V/40A/TO264快速IGBT  

FGL60N100BNTD (IGBT) 1000V/60A/TO264快(拼音:kuài)速IGBT 1MBH60-100

HGTG10N120BND (IGBT) 1200V/35A/298W/100ns/TO247  

HGTG11N120CND (IGBT) 1200V/43A/298W/TO247  

HGTG18N120BND (IGBT) 1200V/54A/390W/90ns/TO247  

FQP5N50C (MOSFET) 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代:IRF830,用《拼音:yòng》于35W

FQPF5N50C (MOSFET) 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代{拼音:dài}:IRF830,用于35W

FQP9N50C (MOSFET) 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代:IRF840,用于(繁:於)75W

FQPF9N50C (MOSFET) 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替{tì}代:IRF840,用于75W

FQP13N50 (MOSFET) 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品{pǐn}

FQPF13N50 (MOSFET) 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于《繁体:於》75W/125W产品

FQD5N50C (MOSFET) 500V/5A/1.4Ω/TO252 用【拼音:yòng】于[繁:於]35W  

FQA16N50 (MOSFET) 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用[读:yòng]于150W到250W的产品

FDP15N50 (MOSFET) 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用(练:yòng)于150W左右的产品

FQP18N50V2 (MOSFET) 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用(练:yòng)于250WG到400W的产品

FQPF18N50V2 (MOSFET) 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品(读:pǐn)

FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的(拼音:de)产品

澳门博彩

FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用[读:yòng]于400W的产品

FQA24N60 (MOSFET) 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的[读:de]产品

FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品(读:pǐn)

FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的[de]产品

娱乐城

IRF740B (MOSFET) 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220

澳门新葡京

IRF730B (MOSFET) 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220

IRF830B (MOSFET) 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220

IRF840B (MOSFET) 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220

IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P

IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W

澳门金沙

FQPF8N60C (MOSFET) 600V/8A/TO220F

FQPF10N60C (MOSFET) 600V/10A/TO220

FQPF12N60 (MOSFET) 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F

FCP11N60 (MOSFET) 650V/11A/125W0.32Ω/TO220

RH世界杯RD660S (快恢复(繁:覆)二极管) 600V/6A/TO-252

RHRP860 (快恢复二极{pinyin:jí}管) 600V/8A/75W/TO-220

RHRP1560 (快恢复《繁:覆》二极管) 600V/15A/TO-220单

2N7002 (三[拼音:sān]极[繁体:極]管) 60V/0.12A/SOT-23

HUF76629D3S (MOSFET) 100V/20A/110W/TO-252

HUF75639S3S (MOSFET) 100V/56A/200W/TO-263

澳门威尼斯人

ISL9V3040S3S (IGBT) 430V/21A/150W/300MJ/TO263

ISL9V5036S3S (IGBT) 360V/46A/250W/TO262

FQP33N10L (MOSFET) 100V/33A/52MΩ127W/TO220

本文链接:http://21taiyang.com/SoccerSports/822974.html
场效应(繁体:應)管irf530替换转载请注明出处来源