电子元件【jiàn】名称大全图

CMOS电路的锁定效应指什么？即闩锁效应，又称自锁效应、闸流效应，它是由寄生晶体管引起的，属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流，这不仅能造成电路功能的混乱，而且还会使电源和地线间短路，引起芯片的永久性损坏

CMOS电路的锁定效应指什么？

即闩锁效应，又称自锁效应、闸流效应，它是由寄生晶体管引起的，属于CMOS电路的缺点。通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制。该效应会在低电压下导致大电流，这不仅能造成电路功能的混乱，而且还会使电源和地线间短路，引起芯片的永久性损坏。防止：在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触。

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态

静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏

很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并（读：bìng）会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地亚博体育之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏

MOS工艺含有许多内在的双极型幸运飞艇晶jīng 体管。在CMOS工艺下，阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。这些结构会导致VDD和VSS线的短路，从而通常会破坏芯片，或者引起系统错误

例如，在n阱结构中，n-p-n-p结构是由NMOS的源，p衬底，n阱和PMOS的源构成的。当两个双极型晶体管之一前向偏置时（例如由于流经【繁体：經】阱或衬底的电流引起），会澳门金沙引起另一个晶体管的基极电流增加。这个正反馈将不断地引起电流增加，直到电路出故障，或者烧掉

可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。闩锁效应在早期的CMOS工艺亚博体育中{pinyin：zhōng}很重要。不过，现在已经不再是个问题了

在近些xiē 年，工艺的改进和设世界杯计的优化已经消除了闩锁的危险。Latch up 的定义